MCU 주변회로 설계 : 전원부

참고문서(AN2586)

 

위에 링크해 둔 AN2586은 STM32F103을 이용해 회로 설계를 할 때 참고하라고 만든 매뉴얼이다. 

 

 

0. 데이터시트 살펴보기 / 회로도

하이라이트 한 부분이 이번 글에서 다룰 핀들이다.

 

 

 

 

우선 intro 읽어보면 

Vdd에는 2~3.6V 전원이 인가되어야 한다. 

 

 

Vdda는 VssA랑, Vdd는 Vss랑  연결되어야 한다.

헷갈릴 수도 있지만 Vss, VssA는 gnd이다. 

Vss : gnd for digital

VssA : gnd for analog

 

읽다 보면 Vref에 대한 설명도 있는데 내가 쓰고는 64핀에는 없으니 신경 안 써도 될 것 같다. (내장되어서 VddA, VssA에 연결되어 있다네요)

 

 

 

요게 포인트 같다.

 

 

 

1. Vdd핀들끼리 연결할 때, 연결하려는 Vdd핀 개수만큼의 100 nF 세라믹 커패시터와 한 개의 탄탈/세라믹 커패시터(최소 4.7uF, 권장 10uF)로 연결한다

 

VDD1~VDD4 총 네 개의 Vdd 핀들을 연결했다,

 

 

네 개의 VDD 핀들을 연결했으므로 네 개의 100nF 세라믹 커패시터와 1개의 10uF 커패시터(탄탈 or 세라믹)를 연결해 준다. 

 

 

 

2. Vbat에는 1.8~3.6V 사이의 외부 전원에 연결. 만약 외부 전원 미 사용 시 Vdd에 100nF 커패시터와 같이 연결. 

 → 외부 전원 사용 예정이라 연결 X 

 

 

 

3. Vdda핀은 100nF 커패시터 한 개, 1uF 커패시터 한 개와 연결

 

 

 

4.  Vref에 대한 설명인데 64핀을 사용하므로 신경 안 써도 될 듯? 

 

 

 

5. Vdda랑 Vdd 연결하려면 패라이드 비드랑 연결

 

 

 

 

 

 

1. 부품선정

 

필요한 부품 목록

  1. 100nF 세라믹 커패시터

  2. 10uF 커패시터 (탄탈 / 세라믹)

  3. 1uF 커패시터 (탄탈 / 세라믹)

  4. 페라이드 비드

 

 

이며 이번 프로젝트의 모든 커패시터의 규격은 0603으로 정했다. 

 

탄탈 커패시터는 세라믹 커패시터와 다르게 극성이 있어 hw설계 시 잘못 설계할 경우, 보드가 망가질 우려가 있다. 데이터시트에서는 탄탈대신 세라믹 커패시터를 사용해도 된다고 적혀있으나 경험을 위해 하나 정도만 탄탈 커패시터를 사용했다. 

 

 

1. 100nF 커패시터

CL10B104KB8NNNC | Samsung Electro-Mechanics | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT | JLCPCB

 

 

 

2. 10uF 커패시터

T58MM106M6R3C0300 | Vishay Intertech | Tantalum Capacitors | JLCPCB

탄탈 세라믹을 사용해서 부품을 배치하는데 있어 극성을 고려해야 한다. 업체가 잘해주겠지만.. 

정격전압은 6.3V이며 이는 회로상 3.3V보다 높은 전압에 해당되어 문제는 없어보이지만 그래도 좀 더 큰 정격전압을 가진 커패시터를 선택하는데 좋아 보인다. 

 

 

 

3. 1uF 커패시터 

CL10A105KB8NNNC | Samsung Electro-Mechanics | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT | JLCPCB

 

 

 

  4. 페라이드 비드

FCM1608KF-601T05 | TAI-TECH | Ferrite Beads | JLCPCB

nucleo-f103rb 보드 bomlist 뽑아서 거기서 사용했던 비드 그대로 사용했다..